103NU70
BJT
NPN
TO1
Parametros Principales
Vcb Max.
20.000 V
Ic Max.
0.100 A
hFE Min
20.000
Potencia Max.
0.050 W
Tj Max.
90.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO1 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 0.5 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.1 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 2 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 20 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 90 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.05 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 20 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 103NU70:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 103NU70?
Los reemplazos compatibles para el 103NU70 incluyen: 1074GE, 107NU70, 108T2, 109T2, 104NU70, 104T2, 105NU70, 106NU70.
¿Que tipo de transistor es el 103NU70?
El 103NU70 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO1.