10N30
MOSFET
N-Channel
TO-220 TO-251 TO-252
Parametros Principales
Vds Max.
300.000 V
Id Max.
10.000 A
RDSon
0.5000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
135.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-220 TO-251 TO-252 |
| tr - Rise Time | 89 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 250 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 10 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 135 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 300 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.5 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 10N30:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 10N30?
Los reemplazos compatibles para el 10N30 incluyen: 12N25, 15N25, 18N25, 12N30, 2N7000Z, 2N7002LL, 2N7002Z, 2N7002ZT.
¿Que tipo de transistor es el 10N30?
El 10N30 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-220 TO-251 TO-252.
¿Cual es el voltaje maximo del 10N30?
El 10N30 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 300.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 10.000 A.