10N45
MOSFET
N-Channel
TO-3
Parametros Principales
Vds Max.
450.000 V
Id Max.
10.000 A
RDSon
0.6000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
150.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-3 |
| tr - Rise Time | 50 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 600 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 10 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 150 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 450 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.6 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 10N45:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 10N45?
Los reemplazos compatibles para el 10N45 incluyen: 10N12, 12N18, 12N20, 12N45, 12N45A, 15N05, 15N12, 15N45, 17N60.
¿Que tipo de transistor es el 10N45?
El 10N45 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-3.
¿Cual es el voltaje maximo del 10N45?
El 10N45 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 450.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 10.000 A.