10N50
MOSFET
N-Channel
TO-220 TO-220F1
Parametros Principales
Vds Max.
500.000 V
Id Max.
10.000 A
RDSon
0.5400 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
143.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-220 TO-220F1 |
| tr - Rise Time | 80 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 177 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 10 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 143 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 500 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.54 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 10N50:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 10N50?
Los reemplazos compatibles para el 10N50 incluyen: 11N50, 12N50, 13N50, 14N50, 15N50, 16N50, 18N50, 24N50.
¿Que tipo de transistor es el 10N50?
El 10N50 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-220 TO-220F1.
¿Cual es el voltaje maximo del 10N50?
El 10N50 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 10.000 A.