10N50TF
MOSFET
N-Channel
TO220F
Parametros Principales
Vds Max.
500.000 V
Id Max.
10.000 A
RDSon
0.7500 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
40.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220F |
| tr - Rise Time | 20 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 154 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 10 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 40 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 500 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.75 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 10N50TF:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 10N50TF?
Los reemplazos compatibles para el 10N50TF incluyen: 100N10NF, 11N65GS, 11N65TFS, 12N60B, 12N60H, 12N65, 12N65F, 12N65B, 12N65H.
¿Que tipo de transistor es el 10N50TF?
El 10N50TF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220F.
¿Cual es el voltaje maximo del 10N50TF?
El 10N50TF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 10.000 A.