10N60AF
MOSFET
N-Channel
TO-220F
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
10.000 A
RDSon
0.8000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
50.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-220F |
| tr - Rise Time | 69 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 166 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 10 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 50 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.8 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 10N60AF:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 10N60AF?
Los reemplazos compatibles para el 10N60AF incluyen: 045Y, 06N03, 10N60A, 10N60H, 10N80AF, 10N80B, 10N90A, 11N10, 11N10G, 11P50A, y 1 mas.
¿Que tipo de transistor es el 10N60AF?
El 10N60AF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-220F.
¿Cual es el voltaje maximo del 10N60AF?
El 10N60AF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 10.000 A.