10N60G-TA3-T
MOSFET
N-Channel
TO-220
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
10.000 A
RDSon
0.7500 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
156.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-220 |
| tr - Rise Time | 69 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 166 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 10 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 156 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.75 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 10N60G-TA3-T:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 10N60G-TA3-T?
Los reemplazos compatibles para el 10N60G-TA3-T incluyen: 10N60L-TA3-T, 10N60L-TF3-T, 10N60G-TF3-T, 10N60L-TF1-T, 10N60G-TF1-T, 10N60L-TF2-T, 10N60G-TF2-T, 10N60L-TF3T-T, 10N60G-TF3T-T.
¿Que tipo de transistor es el 10N60G-TA3-T?
El 10N60G-TA3-T es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-220.
¿Cual es el voltaje maximo del 10N60G-TA3-T?
El 10N60G-TA3-T tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 10.000 A.