10N65KL-TM3-T
MOSFET
N-Channel
TO-251
Parametros Principales
Vds Max.
650.000 V
Id Max.
10.000 A
RDSon
1.3000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
52.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-251 |
| tr - Rise Time | 64 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 125 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 10 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 52 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 650 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1.3 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 10N65KL-TM3-T:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 10N65KL-TM3-T?
Los reemplazos compatibles para el 10N65KL-TM3-T incluyen: 20N50, 10N65KL-TF1-T, 10N65KG-TF1-T, 10N65KL-TF2-T, 10N65KG-TF2-T, 10N65KL-TF3-T, 10N65KG-TF3-T, 10N65KL-T2Q-T, 10N65KG-T2Q-T, 10N65KG-TM3-T, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el 10N65KL-TM3-T?
El 10N65KL-TM3-T es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-251.
¿Cual es el voltaje maximo del 10N65KL-TM3-T?
El 10N65KL-TM3-T tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 650.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 10.000 A.