10N80G-TC3-T
MOSFET
N-Channel
TO-230
Parametros Principales
Vds Max.
800.000 V
Id Max.
10.000 A
RDSon
1.1000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
156.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-230 |
| tr - Rise Time | 130 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 180 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 10 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 156 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 800 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1.1 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 10N80G-TC3-T:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 10N80G-TC3-T?
Los reemplazos compatibles para el 10N80G-TC3-T incluyen: 10N65, 10N70G-TF1-T, 10N70L-TF2-T, 10N70G-TF2-T, 10N70L-TF3-T, 10N70G-TF3-T, 10N80L-T3P-T, 10N80G-T3P-T, 10N80L-TC3-T, 10N80L-TF2-T, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el 10N80G-TC3-T?
El 10N80G-TC3-T es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-230.
¿Cual es el voltaje maximo del 10N80G-TC3-T?
El 10N80G-TC3-T tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 800.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 10.000 A.