10N90
MOSFET
N-Channel
TO-247 TO-3P
Parametros Principales
Vds Max.
900.000 V
Id Max.
10.000 A
RDSon
1.1500 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
183.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-247 TO-3P |
| tr - Rise Time | 54 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 245 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 10 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 183 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 900 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1.15 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 10N90:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 10N90?
Los reemplazos compatibles para el 10N90 incluyen: 11N90, 12N90, 1N90, 2N7002, 2N90.
¿Que tipo de transistor es el 10N90?
El 10N90 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-247 TO-3P.
¿Cual es el voltaje maximo del 10N90?
El 10N90 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 900.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 10.000 A.