10NN15
MOSFET
N-Channel
SOP-8
Parametros Principales
Vds Max.
150.000 V
Id Max.
3.000 A
RDSon
0.4000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
2.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOP-8 |
| tr - Rise Time | 7 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 60 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 3 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 150 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.4 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 10NN15:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 10NN15?
Los reemplazos compatibles para el 10NN15 incluyen: 12NN10, 2N7002ZDW.
¿Que tipo de transistor es el 10NN15?
El 10NN15 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOP-8.
¿Cual es el voltaje maximo del 10NN15?
El 10NN15 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 150.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 3.000 A.