111T2-18
BJT
NPN
TO18
Parametros Principales
Vcb Max.
60.000 V
hFE Min
30.000
Potencia Max.
0.800 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO18 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 4 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 60 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 175 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.8 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 30 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 111T2-18:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 111T2-18?
Los reemplazos compatibles para el 111T2-18 incluyen: 1074GE, 107NU70, 108T2, 109T2, 111T2, 121-1003, 121-1019, 121-1029, 121-1029-01, 121-1033, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 111T2-18?
El 111T2-18 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO18.