1129NTV1
BJT
NPN
Parametros Principales
Vce Max.
13.000 V
Vcb Max.
15.000 V
Ic Max.
0.010 A
hFE Min
80.000
Potencia Max.
0.075 W
Tj Max.
125.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Collector Capacitance (Cc) | 3 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.01 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 4 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 15 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 13 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 125 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.075 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 80 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 1129NTV1:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 1129NTV1?
Los reemplazos compatibles para el 1129NTV1 incluyen: 159NT1D, 159NT1E.
¿Que tipo de transistor es el 1129NTV1?
El 1129NTV1 es un transistor BJT NPN .
¿Cual es el voltaje maximo del 1129NTV1?
El 1129NTV1 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 13.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.010 A.