11N10C
MOSFET
N-Channel
TO252
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
11.000 A
RDSon
0.0950 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
28.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO252 |
| tr - Rise Time | 3 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 120 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 11 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 28 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.095 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 11N10C:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 11N10C?
Los reemplazos compatibles para el 11N10C incluyen: 2N7000, 03N06, 05N06, 100N03, 100P03, 10N03, 110N10, 120N03, 1402TR, 1404TR, y 1 mas.
¿Que tipo de transistor es el 11N10C?
El 11N10C es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO252.
¿Cual es el voltaje maximo del 11N10C?
El 11N10C tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 11.000 A.