11N50
MOSFET
N-Channel
TO-220 TO-220F TO-220F1 TO-220F2 TO-262
Parametros Principales
Vds Max.
500.000 V
Id Max.
11.000 A
RDSon
0.4800 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
195.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-220 TO-220F TO-220F1 TO-220F2 TO-262 |
| tr - Rise Time | 70 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 185 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 11 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 195 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 500 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.48 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 11N50:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 11N50?
Los reemplazos compatibles para el 11N50 incluyen: 10N50, 12N50, 13N50, 14N50, 15N50, 16N50, 18N50, 24N50, 26N50.
¿Que tipo de transistor es el 11N50?
El 11N50 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-220 TO-220F TO-220F1 TO-220F2 TO-262.
¿Cual es el voltaje maximo del 11N50?
El 11N50 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 11.000 A.
