11N65GS
MOSFET
N-Channel
TO252
Parametros Principales
Vds Max.
650.000 V
Id Max.
11.000 A
RDSon
0.4000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
120.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO252 |
| tr - Rise Time | 4 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 87 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 11 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 120 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 650 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.4 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 11N65GS:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 11N65GS?
Los reemplazos compatibles para el 11N65GS incluyen: 100N10NF, 10N50TF, 11N65TFS, 12N60B, 12N60H, 12N65, 12N65F, 12N65B, 12N65H, 12N65TF.
¿Que tipo de transistor es el 11N65GS?
El 11N65GS es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO252.
¿Cual es el voltaje maximo del 11N65GS?
El 11N65GS tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 650.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 11.000 A.