11N90
MOSFET
N-Channel
TO-3P TO-3PN TO-220 TO-220F1
Parametros Principales
Vds Max.
900.000 V
Id Max.
11.000 A
RDSon
0.9100 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
215.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-3P TO-3PN TO-220 TO-220F1 |
| tr - Rise Time | 130 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 215 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 11 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 215 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 900 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.91 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 11N90:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 11N90?
Los reemplazos compatibles para el 11N90 incluyen: 10N90, 12N90, 1N90, 2N90.
¿Que tipo de transistor es el 11N90?
El 11N90 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-3P TO-3PN TO-220 TO-220F1.
¿Cual es el voltaje maximo del 11N90?
El 11N90 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 900.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 11.000 A.