11NM70L-TN3-R
MOSFET
N-Channel
TO-252
Parametros Principales
Vds Max.
700.000 V
Id Max.
11.000 A
RDSon
0.5800 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
80.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-252 |
| tr - Rise Time | 62 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 220 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 11 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 80 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 700 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.58 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 11NM70L-TN3-R:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 11NM70L-TN3-R?
Los reemplazos compatibles para el 11NM70L-TN3-R incluyen: 11NM70L-TF3-T, 11NM70G-TF3-T, 11NM70L-TF1-T, 11NM70G-TF1-T, 11NM70L-TM3-T, 11NM70G-TM3-T, 11NM70L-TMS2-T, 11NM70G-TMS2-T, 11NM70G-TN3-R, 11NM70L-T2Q-T, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 11NM70L-TN3-R?
El 11NM70L-TN3-R es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-252.
¿Cual es el voltaje maximo del 11NM70L-TN3-R?
El 11NM70L-TN3-R tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 700.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 11.000 A.