11P50A
MOSFET
P-Channel
LCC
Parametros Principales
Vds Max.
500.000 V
Id Max.
11.000 A
RDSon
0.7500 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
300.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | LCC |
| tr - Rise Time | 27 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 430 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 11 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 300 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 500 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.75 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 11P50A:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 11P50A?
Los reemplazos compatibles para el 11P50A incluyen: 10N60A, 10N60AF, 10N60H, 10N80AF, 10N80B, 10N90A, 11N10, 11N10G, 12N50A, 12N60A, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 11P50A?
El 11P50A es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado LCC.
¿Cual es el voltaje maximo del 11P50A?
El 11P50A tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 11.000 A.