121-1003
BJT
NPN
TO3
Parametros Principales
Vce Max.
600.000 V
Vcb Max.
1500.000 V
Ic Max.
7.000 A
hFE Min
10.000
Potencia Max.
50.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 2 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 7 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 1500 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 600 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 175 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 50 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 10 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 121-1003:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 121-1003?
Los reemplazos compatibles para el 121-1003 incluyen: 1074GE, 107NU70, 108T2, 109T2, 111T2, 111T2-18, 121-1019, 121-1029, 121-1029-01, 121-1033, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 121-1003?
El 121-1003 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO3.
¿Cual es el voltaje maximo del 121-1003?
El 121-1003 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 600.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 7.000 A.