121-755
BJT
NPN
TO202
Parametros Principales
Vce Max.
300.000 V
Vcb Max.
300.000 V
Ic Max.
0.500 A
hFE Min
40.000
Potencia Max.
2.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO202 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 45 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.5 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 300 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 300 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 2 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 40 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 121-755:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 121-755?
Los reemplazos compatibles para el 121-755 incluyen: 121-1040, 121-1058, 121-1061-01, 121-477, 121-695, 121-713, 121-744, 121-746, 121-792, 1401, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 121-755?
El 121-755 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO202.
¿Cual es el voltaje maximo del 121-755?
El 121-755 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 300.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.500 A.