125N10T
MOSFET
N-Channel
TO220
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
120.000 A
RDSon
0.0058 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
192.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220 |
| tr - Rise Time | 19.2 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 680 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 120 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 192 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0058 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 125N10T:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 125N10T?
Los reemplazos compatibles para el 125N10T incluyen: 2SJ156, 2SJ171.
¿Que tipo de transistor es el 125N10T?
El 125N10T es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220.
¿Cual es el voltaje maximo del 125N10T?
El 125N10T tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 120.000 A.