12A02MH-TL-E

BJT PNP SOT323

Parametros Principales

Vce Max. 12.000 V
Vcb Max. 15.000 V
Ic Max. 1.000 A
hFE Min 300.000
Potencia Max. 0.600 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package SOT323
Polarity PNP
SMD Transistor Code AK
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 450 MHz
Collector Capacitance (Cc) 6 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 1 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 5 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 15 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 12 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 0.6 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 300

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 12A02MH-TL-E:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 12A02MH-TL-E?

Los reemplazos compatibles para el 12A02MH-TL-E incluyen: 2SCR562F3, 2SCR572D, 2SCR573D, 2SCR573DA08, 2SCR574D, 2SCR574DA07, 10AM20, 12A02CH-TL-E, 15C01C-TB-E, 15C01M-TL-E, y 6 mas.

¿Que tipo de transistor es el 12A02MH-TL-E?

El 12A02MH-TL-E es un transistor BJT PNP en encapsulado SOT323.

¿Cual es el voltaje maximo del 12A02MH-TL-E?

El 12A02MH-TL-E tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 12.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 1.000 A.

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