12N10G-TN3-R
MOSFET
N-Channel
TO-252
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
12.000 A
RDSon
0.1800 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
30.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-252 |
| tr - Rise Time | 7 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 90 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 12 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 30 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.18 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 12N10G-TN3-R:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 12N10G-TN3-R?
Los reemplazos compatibles para el 12N10G-TN3-R incluyen: 11NM70G-T2Q-T, 11NM70L-T2S-T, 11NM70G-T2S-T, 12N10L-TA3-T, 12N10G-TA3-T, 12N10L-TM3-T, 12N10G-TM3-T, 12N10L-TN3-R, 12N10G-S08-R, 12N60L-TA3-T, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 12N10G-TN3-R?
El 12N10G-TN3-R es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-252.
¿Cual es el voltaje maximo del 12N10G-TN3-R?
El 12N10G-TN3-R tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 12.000 A.