12N60B
MOSFET
N-Channel
TO263
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
12.000 A
RDSon
0.7000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
155.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO263 |
| tr - Rise Time | 28 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 180 max pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 12 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 155 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.7 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 12N60B:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 12N60B?
Los reemplazos compatibles para el 12N60B incluyen: 100N10NF, 10N50TF, 11N65GS, 11N65TFS, 12N60H, 12N65, 12N65F, 12N65B, 12N65H, 12N65TF, y 2 mas.
¿Que tipo de transistor es el 12N60B?
El 12N60B es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO263.
¿Cual es el voltaje maximo del 12N60B?
El 12N60B tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 12.000 A.