12N65KG-TQ2-R
MOSFET
N-Channel
TO-263
Parametros Principales
Vds Max.
650.000 V
Id Max.
12.000 A
RDSon
0.7500 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
225.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-263 |
| tr - Rise Time | 125 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 175 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 12 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 225 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 650 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.75 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 12N65KG-TQ2-R:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 12N65KG-TQ2-R?
Los reemplazos compatibles para el 12N65KG-TQ2-R incluyen: 12N65KG-TF1-T, 12N65KL-TF2-T, 12N65KG-TF2-T, 12N65KL-TF3-T, 12N65KG-TF3-T, 12N65KL-TQ2-T, 12N65KG-TQ2-T, 12N65KL-TQ2-R, 12N70KL-TA3-T, 12N70KG-TA3-T, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 12N65KG-TQ2-R?
El 12N65KG-TQ2-R es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-263.
¿Cual es el voltaje maximo del 12N65KG-TQ2-R?
El 12N65KG-TQ2-R tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 650.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 12.000 A.