12N80G-T3P-T
MOSFET
N-Channel
TO-3P
Parametros Principales
Vds Max.
800.000 V
Id Max.
12.000 A
RDSon
1.0000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
390.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-3P |
| tr - Rise Time | 198 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 315 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 12 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 390 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 800 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 12N80G-T3P-T:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 12N80G-T3P-T?
Los reemplazos compatibles para el 12N80G-T3P-T incluyen: 12N70G-TF1-T, 12N70L-TF2-T, 12N70G-TF2-T, 12N70L-TF3T-T, 12N70G-TF3T-T, 12N80L-T47-T, 12N80G-T47-T, 12N80L-T3P-T, 12N80L-TC3-T, 12N80G-TC3-T, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 12N80G-T3P-T?
El 12N80G-T3P-T es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-3P.
¿Cual es el voltaje maximo del 12N80G-T3P-T?
El 12N80G-T3P-T tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 800.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 12.000 A.