12NN10
MOSFET
N-Channel
SOP-8
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
2.500 A
RDSon
0.1500 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
2.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOP-8 |
| tr - Rise Time | 7 nS |
| Qg - Total Gate Charge | 10 nC |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 60 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 2.5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| |VGSth| - Maximum Gate-Threshold Voltage | 3 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.15 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 12NN10:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 12NN10?
Los reemplazos compatibles para el 12NN10 incluyen: 10NN15, 2N7002ZDW.
¿Que tipo de transistor es el 12NN10?
El 12NN10 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOP-8.
¿Cual es el voltaje maximo del 12NN10?
El 12NN10 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 2.500 A.