12P10
MOSFET
P-Channel
TO-263 SOP-8 TO-251 TO-252 SOT-223 TO-220
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
9.400 A
RDSon
0.2400 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
65.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-263 SOP-8 TO-251 TO-252 SOT-223 TO-220 |
| tr - Rise Time | 160 nS |
| Qg - Total Gate Charge | 21 nC |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 220 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 9.4 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 65 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| |VGSth| - Maximum Gate-Threshold Voltage | 4 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.24 Ohm |
Preguntas Frecuentes
¿Que tipo de transistor es el 12P10?
El 12P10 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO-263 SOP-8 TO-251 TO-252 SOT-223 TO-220.
¿Cual es el voltaje maximo del 12P10?
El 12P10 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 9.400 A.