12P10L-TN3-R
MOSFET
P-Channel
TO-252
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
9.400 A
RDSon
0.2900 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
50.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-252 |
| tr - Rise Time | 64 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 115 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 9.4 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 50 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.29 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 12P10L-TN3-R:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 12P10L-TN3-R?
Los reemplazos compatibles para el 12P10L-TN3-R incluyen: 18N50, 12P10G-TM3-T, 12P10L-TMS-T, 12P10G-TMS-T, 12P10L-TMS2-T, 12P10G-TMS2-T, 12P10G-S08-R, 12P10L-TMS4-T, 12P10G-TMS4-T, 12P10G-TN3-R, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el 12P10L-TN3-R?
El 12P10L-TN3-R es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO-252.
¿Cual es el voltaje maximo del 12P10L-TN3-R?
El 12P10L-TN3-R tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 9.400 A.