13007DL
BJT
NPN
TO220
Parametros Principales
Vce Max.
200.000 V
Vcb Max.
400.000 V
Ic Max.
12.000 A
hFE Min
15.000
Potencia Max.
80.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 4 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 12 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 9 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 400 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 200 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 80 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 15 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 13007DL:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 13007DL?
Los reemplazos compatibles para el 13007DL incluyen: 13005ADL, 13005D, 13005DL, 13005ED, 13005F, 13005S, 13005SD, 13005SDL, 13007S, 13007T, y 3 mas.
¿Que tipo de transistor es el 13007DL?
El 13007DL es un transistor BJT NPN en encapsulado TO220.
¿Cual es el voltaje maximo del 13007DL?
El 13007DL tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 200.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 12.000 A.