13009SDL
BJT
NPN
TO220
Parametros Principales
Vce Max.
200.000 V
Vcb Max.
400.000 V
Ic Max.
15.000 A
hFE Min
15.000
Potencia Max.
100.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 4 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 15 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 9 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 400 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 200 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 100 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 15 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 13009SDL:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 13009SDL?
Los reemplazos compatibles para el 13009SDL incluyen: 13005F, 13005S, 13005SD, 13005SDL, 13007DL, 13007S, 13007T, 13009A, 13009T.
¿Que tipo de transistor es el 13009SDL?
El 13009SDL es un transistor BJT NPN en encapsulado TO220.
¿Cual es el voltaje maximo del 13009SDL?
El 13009SDL tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 200.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 15.000 A.