13N10
MOSFET
N-Channel
TO220AB
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
18.000 A
RDSon
0.1100 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
105.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220AB |
| tr - Rise Time | 120 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 260 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 18 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 105 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.110 typ Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 13N10:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 13N10?
Los reemplazos compatibles para el 13N10 incluyen: 2N7000, 15N10-TO251, 1812, 1N60L-TM3-T, 20N03L-TO252, 20N06L-TO252, 20N3LG-TO251, 20P06-TO252, 25N06L-TN3.
¿Que tipo de transistor es el 13N10?
El 13N10 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220AB.
¿Cual es el voltaje maximo del 13N10?
El 13N10 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 18.000 A.