13N90
MOSFET
N-Channel
TO3PN
Parametros Principales
Vds Max.
900.000 V
Id Max.
13.000 A
RDSon
0.7500 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
190.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3PN |
| tr - Rise Time | 35 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 310 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 13 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 190 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 900 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.75 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 13N90:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 13N90?
Los reemplazos compatibles para el 13N90 incluyen: 110N04, 14N65, 18N50D.
¿Que tipo de transistor es el 13N90?
El 13N90 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3PN.
¿Cual es el voltaje maximo del 13N90?
El 13N90 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 900.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 13.000 A.