14N50G-TQ2-R
MOSFET
N-Channel
TO-263
Parametros Principales
Vds Max.
500.000 V
Id Max.
14.000 A
RDSon
0.5000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
150.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-263 |
| tr - Rise Time | 70 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 238 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 14 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 150 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 500 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.5 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 14N50G-TQ2-R:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 14N50G-TQ2-R?
Los reemplazos compatibles para el 14N50G-TQ2-R incluyen: 13N50G-TF1-T, 14N50L-TA3-T, 14N50G-TA3-T, 14N50L-TF1-T, 14N50G-TF1-T, 14N50L-TQ2-T, 14N50G-TQ2-T, 14N50L-TQ2-R, 14N50L-TF3-T, 14N50G-TF3-T, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 14N50G-TQ2-R?
El 14N50G-TQ2-R es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-263.
¿Cual es el voltaje maximo del 14N50G-TQ2-R?
El 14N50G-TQ2-R tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 14.000 A.