15N10-TO251
MOSFET
N-Channel
TO251
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
15.000 A
RDSon
0.1100 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
61.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO251 |
| tr - Rise Time | 35 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 110 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 15 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 61 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.11 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 15N10-TO251:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 15N10-TO251?
Los reemplazos compatibles para el 15N10-TO251 incluyen: 13N10, 1812, 1N60L-TM3-T, 20N03L-TO252, 20N06L-TO252, 20N3LG-TO251, 20P06-TO252, 25N06L-TN3, 25NF20.
¿Que tipo de transistor es el 15N10-TO251?
El 15N10-TO251 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO251.
¿Cual es el voltaje maximo del 15N10-TO251?
El 15N10-TO251 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 15.000 A.