15N10B
MOSFET
N-Channel
TO252
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
10.000 A
RDSon
0.1300 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
28.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO252 |
| tr - Rise Time | 7.4 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 120 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 10 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 28 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.13 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 15N10B:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 15N10B?
Los reemplazos compatibles para el 15N10B incluyen: 15N10.
¿Que tipo de transistor es el 15N10B?
El 15N10B es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO252.
¿Cual es el voltaje maximo del 15N10B?
El 15N10B tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 10.000 A.