15N10G-TN3-R
MOSFET
N-Channel
TO-252
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
14.700 A
RDSon
0.1000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
34.700 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-252 |
| tr - Rise Time | 33 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 58 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 14.7 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 34.7 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.1 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 15N10G-TN3-R:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 15N10G-TN3-R?
Los reemplazos compatibles para el 15N10G-TN3-R incluyen: 14N50G-TQ2-R, 14N50L-TF3-T, 14N50G-TF3-T, 14N50L-T3P-T, 14N50G-T3P-T, 15N10L-TM3-T, 15N10G-TM3-T, 15N10L-TN3-R, 15N65L-T47-T, 15N65G-T47-T, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 15N10G-TN3-R?
El 15N10G-TN3-R es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-252.
¿Cual es el voltaje maximo del 15N10G-TN3-R?
El 15N10G-TN3-R tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 14.700 A.