16656
BJT
NPN
TO3
Parametros Principales
Vcb Max.
400.000 V
Ic Max.
7.000 A
hFE Min
50.000
Potencia Max.
85.000 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 5 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 7 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 10 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 400 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 85 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 50 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 16656:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 16656?
Los reemplazos compatibles para el 16656 incluyen: 2SC5198, 16343, 16503, 16562, 16563, 16585, 16586, 16606, 1664, 16668, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el 16656?
El 16656 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO3.