16N10
MOSFET
N-Channel
TO252
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
15.000 A
RDSon
0.0800 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
50.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO252 |
| tr - Rise Time | 6.5 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 160 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 15 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 50 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.08 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 16N10:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 16N10?
Los reemplazos compatibles para el 16N10 incluyen: 15P03, 18N10, 2002A, 20P10, 21N06, 22N10, 2301H, 2301L, 25P06.
¿Que tipo de transistor es el 16N10?
El 16N10 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO252.
¿Cual es el voltaje maximo del 16N10?
El 16N10 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 15.000 A.