16N60B
MOSFET
N-Channel
TO-3PB
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
16.000 A
RDSon
0.1990 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
134.400 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-3PB |
| tr - Rise Time | 15.5 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 70 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 16 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 134.4 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.199 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 16N60B:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 16N60B?
Los reemplazos compatibles para el 16N60B incluyen: 12N50A, 12N60A, 12N60AF, 13N110A, 13N60A, 13N60AF, 16N60A, 16N60AF, 19MT050XFAPBF, 1HN04CH, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 16N60B?
El 16N60B es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-3PB.
¿Cual es el voltaje maximo del 16N60B?
El 16N60B tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 16.000 A.