18N10
MOSFET
N-Channel
TO252
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
18.000 A
RDSon
0.0700 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
55.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO252 |
| tr - Rise Time | 9.3 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 240 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 18 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 55 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.07 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 18N10:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 18N10?
Los reemplazos compatibles para el 18N10 incluyen: 15P03, 16N10, 2002A, 20P10, 21N06, 22N10, 2301H, 2301L, 25P06, 25P10.
¿Que tipo de transistor es el 18N10?
El 18N10 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO252.
¿Cual es el voltaje maximo del 18N10?
El 18N10 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 18.000 A.