18N10W
MOSFET
N-Channel
TO-252
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
18.000 A
RDSon
0.0500 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
47.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-252 |
| tr - Rise Time | 12 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 88 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 18 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 47 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.05 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 18N10W:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 18N10W?
Los reemplazos compatibles para el 18N10W incluyen: 2312, 06N06L, 2300F.
¿Que tipo de transistor es el 18N10W?
El 18N10W es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-252.
¿Cual es el voltaje maximo del 18N10W?
El 18N10W tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 18.000 A.