18N50D
MOSFET
N-Channel
TO3P TO3PN
Parametros Principales
Vds Max.
500.000 V
Id Max.
18.000 A
RDSon
0.3500 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
190.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3P TO3PN |
| tr - Rise Time | 65 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 277 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 18 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 190 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 500 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.35 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 18N50D:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 18N50D?
Los reemplazos compatibles para el 18N50D incluyen: 110N04, 13N90, 14N65.
¿Que tipo de transistor es el 18N50D?
El 18N50D es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3P TO3PN.
¿Cual es el voltaje maximo del 18N50D?
El 18N50D tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 18.000 A.