18P10B
MOSFET
P-Channel
TO251
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
13.000 A
RDSon
0.1850 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
63.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO251 |
| tr - Rise Time | 27.3 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 60 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 13 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 63 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.185 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 18P10B:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 18P10B?
Los reemplazos compatibles para el 18P10B incluyen: 18P10, 18P10D, 18P10E, 18P10F, 18P10I.
¿Que tipo de transistor es el 18P10B?
El 18P10B es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO251.
¿Cual es el voltaje maximo del 18P10B?
El 18P10B tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 13.000 A.