193DT2
BJT
NPN
TO3
Parametros Principales
Vcb Max.
210.000 V
Ic Max.
10.000 A
hFE Min
40.000
Potencia Max.
85.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 5 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 10 A |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 210 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 85 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 40 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 193DT2:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 193DT2?
Los reemplazos compatibles para el 193DT2 incluyen: 26DB080D, 27925, 28025, 2A847, 2C111, 2C1893, 2C2222A, 2SD1555, 181T2, 181T2A, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el 193DT2?
El 193DT2 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO3.