19MT050XF
MOSFET
N-Channel
MTP
Parametros Principales
Vds Max.
500.000 V
Id Max.
31.000 A
RDSon
0.1900 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
1140.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | MTP |
| tr - Rise Time | 165 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 1165 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 31 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 1140 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 500 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.19 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 19MT050XF:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 19MT050XF?
Los reemplazos compatibles para el 19MT050XF incluyen: 2SJ104, 2SJ107, 2SJ108, 2SJ109, 2SJ113, 2SJ115, 2SJ116, 2SJ117.
¿Que tipo de transistor es el 19MT050XF?
El 19MT050XF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado MTP.
¿Cual es el voltaje maximo del 19MT050XF?
El 19MT050XF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 31.000 A.