19MT050XFAPBF
MOSFET
N-Channel
MTP
Parametros Principales
Vds Max.
500.000 V
Id Max.
31.000 A
RDSon
0.2200 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
1140.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | MTP |
| tr - Rise Time | 165 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 1165 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 31 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 1140 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 500 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.22 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 19MT050XFAPBF:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 19MT050XFAPBF?
Los reemplazos compatibles para el 19MT050XFAPBF incluyen: 12N60A, 12N60AF, 13N110A, 13N60A, 13N60AF, 16N60A, 16N60AF, 16N60B, 1HN04CH, 1HP04CH, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el 19MT050XFAPBF?
El 19MT050XFAPBF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado MTP.
¿Cual es el voltaje maximo del 19MT050XFAPBF?
El 19MT050XFAPBF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 31.000 A.