19N10
MOSFET
N-Channel
TO-3P TO-251 TO-252 TO-220 TO-263
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
15.600 A
RDSon
0.0780 Ω
Vgs Max.
25.000 V
Potencia Max.
178.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-3P TO-251 TO-252 TO-220 TO-263 |
| tr - Rise Time | 150 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 165 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 15.6 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 178 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 25 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.078 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 19N10:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 19N10?
Los reemplazos compatibles para el 19N10 incluyen: 2N7002ZT, 12N06, 12N06Z, 15N06, 12N10, 15N20, 22N20, 25N06, 25N10.
¿Que tipo de transistor es el 19N10?
El 19N10 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-3P TO-251 TO-252 TO-220 TO-263.
¿Cual es el voltaje maximo del 19N10?
El 19N10 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 15.600 A.