19N10G-TMS-T
MOSFET
N-Channel
TO-251S
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
15.600 A
RDSon
0.1000 Ω
Vgs Max.
25.000 V
Potencia Max.
50.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-251S |
| tr - Rise Time | 70 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 165 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 15.6 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 50 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 25 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.1 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 19N10G-TMS-T:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 19N10G-TMS-T?
Los reemplazos compatibles para el 19N10G-TMS-T incluyen: 19N10L-TMS4-T, 19N10G-TMS4-T, 19N10L-TN3-R, 19N10G-TN3-R, 19N10L-TQ2-R, 19N10G-TQ2-R, 19N10L-TQ2-T, 19N10G-TQ2-T, 1N60G-AA3-R, 1N60L-TA3-T, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 19N10G-TMS-T?
El 19N10G-TMS-T es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-251S.
¿Cual es el voltaje maximo del 19N10G-TMS-T?
El 19N10G-TMS-T tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 15.600 A.